AL14SX系列提供300GB、600GB和900GB存儲容量。與上一代600GB產(chǎn)品AL13SX系列相比，900GB[3]型號的最大容量增加50%。此外，4Kn和512e型號的持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率提高了約19%，提升至290MiB/s[4]，而功率效率(W/GB)提高了約28.7%。新產(chǎn)品在容量、速度和節(jié)能方面的改善有助于降低服務(wù)器和系統(tǒng)的總體擁有成本(TCO)。

客戶還可以選擇支持清理即時擦除(SIE)的型號，使磁盤上記錄的數(shù)據(jù)實現(xiàn)快速失效，支持高效處理和重用。

注

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[1] “2.5英寸”指硬盤驅(qū)動器的外形。并不表示驅(qū)動器的實際尺寸。

[2] 根據(jù)主機設(shè)備、讀取和寫入條件以及文件大小情況，讀寫速度可能存在差異。

[3] 容量定義：東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié)，1千兆字節(jié)(GB)為1,000,000,000字節(jié)，1太字節(jié)(TB)為1,000,000,000,000字節(jié)。而計算機操作系統(tǒng)使用2的冪來報告存儲容量，其定義1GB = 230 = 1,073,741,824字節(jié)，因此顯示更少的存儲容量。根據(jù)不同的文件大小、格式、設(shè)置、軟件和操作系統(tǒng)，可用存儲容量(包括各種媒體文件示例)將存在差異，如微軟操作系統(tǒng)和/或預(yù)裝軟件應(yīng)用程序或媒介內(nèi)容。實際的格式化容量可能存在差異。

[4] 1千字節(jié)(KiB)代表210或1,024字節(jié)、1兆字節(jié)(MiB)代表220或1,048,576 字節(jié)、1千兆字節(jié)(GiB)代表230或1,073,741,824字節(jié)。

實際上，業(yè)內(nèi)人士普遍認為，未來石墨烯最有可能在OLED產(chǎn)業(yè)上實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。石墨烯擁有高畫質(zhì)、柔性超薄、高對比、低能耗等特點，它能打造硬度優(yōu)良、導(dǎo)電優(yōu)秀、柔性觸控、超級透明的優(yōu)秀觸控面板材料。而這次研究人員用石墨烯打造OLED電極就是一項重大突破。

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據(jù)媒體報道，附著到OLED的電極尺寸約為2cm x 1cm(1/2英寸 x 1/4英寸)，它使用化學氣相沉積(CVD)工藝制造，其中甲烷和氫氣被泵入真空室中，銅板被加熱到800℃(1,472°F)。這兩種氣體發(fā)生化學反應(yīng)，并當甲烷溶解到銅中時，其在表面上形成石墨烯原子。一旦該層充分形成，使整個裝置冷卻，施加保護性聚合物片，然后化學蝕刻掉銅以顯露純石墨烯的單原子層。

Fraunhofer有機電子學，電子束和等離子體技術(shù)FEP項目負責人Beatrice Beyer博士說，“這是極苛刻材料研究和集成的真正突破。雖然這不是第一個在其構(gòu)造中使用石墨烯的柔性顯示屏，但它首次引入OLED技術(shù)，向全色屏幕和快速響應(yīng)時間邁出一大步。”

中國石墨烯產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟表示，目前全球石墨烯年產(chǎn)能達到百噸級，未來5-10年將達到千噸級。到2020年，全球石墨烯市場規(guī)模將超1000億元。

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STM32(Cortex-M3)中有兩個優(yōu)先級的概念：搶占式優(yōu)先級和響應(yīng)優(yōu)先級，也把響應(yīng)優(yōu)先級稱作“亞優(yōu)先級”或“副優(yōu)先級”，每個中斷源都需要被指定這兩種優(yōu)先級。

1. 何為占先式優(yōu)先級(pre-emption priority)

高占先式優(yōu)先級的中斷事件會打斷當前的主程序/中斷程序運行—搶斷式優(yōu)先響應(yīng)，俗稱中斷嵌套。

2. 何為副優(yōu)先級(subpriority)

在占先式優(yōu)先級相同的情況下，高副優(yōu)先級的中斷優(yōu)先被響應(yīng);

在占先式優(yōu)先級相同的情況下，如果有低副優(yōu)先級中斷正在執(zhí)行， 高副優(yōu)先級的中斷要等待已被響應(yīng)的低副優(yōu)先級中斷執(zhí)行結(jié)束后才能得到響應(yīng)—非搶斷式響應(yīng)(不能嵌套)。

3. 判斷中斷是否會被響應(yīng)的依據(jù)

首先是占先式優(yōu)先級，其次是副優(yōu)先級;

占先式優(yōu)先級決定是否會有中斷嵌套;

Reset、NMI、Hard Fault 優(yōu)先級為負(高于普通中斷優(yōu)先級)且不可調(diào)整。

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4. 優(yōu)先級沖突的處理

具有高搶占式優(yōu)先級的中斷可以在具有低搶占式優(yōu)先級的中斷處理過程中被響應(yīng)，即中斷的嵌套，或者說高搶占式優(yōu)先級的中斷可以嵌套低搶占式優(yōu)先級的中斷。

當兩個中斷源的搶占式優(yōu)先級相同時，這兩個中斷將沒有嵌套關(guān)系，當一個中斷到來后，如果正在處理另一個中斷，這個后到來的中斷就要等到前一個中斷處理完之后才能被處理。如果這兩個中斷同時到達，則中斷控制器根據(jù)他們的響應(yīng)優(yōu)先級高低來決定先處理哪一個;如果他們的搶占式優(yōu)先級和響應(yīng)優(yōu)先級都相等，則根據(jù)他們在中斷表中的排位順序決定先處理哪一個。

5. Cortex-M3中對中斷優(yōu)先級的定義

既然每個中斷源都需要被指定這兩種優(yōu)先級，就需要有相應(yīng)的寄存器位記錄每個中斷的優(yōu)先級;在Cortex-M3中定義了8個比特位用于設(shè)置中斷源的優(yōu)先級，這8個比特位可以有8種分配方式，如下：

所有8位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高1位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低7位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高2位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低6位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高3位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低5位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高4位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低4位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高5位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低3位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高6位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低2位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

最高7位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低1位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

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這就是優(yōu)先級分組的概念。

6. STM32中對中斷優(yōu)先級的定義

Cortex-M3允許具有較少中斷源時使用較少的寄存器位指定中斷源的優(yōu)先級，因此STM32把指定中斷優(yōu)先級的寄存器位減少到4位，這4個寄存器位的分組方式如下：

第0組：所有4位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

第1組：最高1位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低3位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

第2組：最高2位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低2位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

第3組：最高3位用于指定搶占式優(yōu)先級，最低1位用于指定響應(yīng)優(yōu)先級

第4組：所有4位用于指定搶占式優(yōu)先級